單端反激結(jié)構(gòu)在幾十瓦的小功率開(kāi)關(guān)電源中比較常見(jiàn)。在其可靠性驗(yàn)證中，初級(jí)MOS管DS間承受的電壓峰值（下面稱應(yīng)力）是一個(gè)重點(diǎn)。設(shè)計(jì)過(guò)程經(jīng)常會(huì)碰到MOS管電壓應(yīng)力超標(biāo)的現(xiàn)象（一般認(rèn)為在異常情況下，應(yīng)力不超過(guò)MOS耐壓的100%，正常情況下不超過(guò)95%，對(duì)MOS是安全的）。根據(jù)我們的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，對(duì)這個(gè)問(wèn)題做一分析并提出幾種應(yīng)對(duì)方案措施。
一、初級(jí)MOS的電壓應(yīng)力
初級(jí)MOS的電壓應(yīng)力一般是由三個(gè)方面組成:即是三個(gè)數(shù)值的疊加。
1.母線上電壓峰值（一般是初級(jí)濾波電容上的電壓峰值）；
2.是次級(jí)的反射電壓（即是MOS截止時(shí)由于電磁感應(yīng)，次級(jí)電壓折算到初級(jí)線圈的電壓值）；
3.是由于變壓器漏感，在MOS關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰。
母線上的電壓峰值：這個(gè)峰值一般是輸入電壓的峰值，對(duì)于220V市電供電的開(kāi)關(guān)電源，如果考慮±20%的變化范圍，其*大值是264V，其因是正弦波，所以峰是264 x 1.414=373.23v.
二、次級(jí)的反射電壓
這個(gè)電壓由變壓器初級(jí)圈數(shù)和次級(jí)圈數(shù)的比值決定。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，反射電壓值*好不要大于100V（針對(duì)600V的管子和220電網(wǎng)電壓）。如果這個(gè)值選的過(guò)大，可能會(huì)給MOS應(yīng)力控制增加一些壓力。另外，反射電壓太高，初級(jí)線圈的吸收電阻上消耗更多的能量會(huì)增加，不利于提高電源效率。但也不要選的太小，不然占空比不能得到充分的利用。（因?yàn)榉瓷潆妷盒。馕吨跫?jí)圈數(shù)和次級(jí)圈數(shù)比值較大，占空比必然會(huì)小)。占空比太小，在相同功率下，會(huì)增大初級(jí)MOS電流的峰值，電流的有效值值也會(huì)增加，開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通損耗和變壓器集膚效應(yīng)，臨近效應(yīng)引起的損耗也會(huì)增加。總之，這個(gè)反射電壓的選取，也是一個(gè)反復(fù)實(shí)驗(yàn)權(quán)衡的結(jié)果。當(dāng)然，如果效率不是我們*關(guān)注的問(wèn)題，在部件（MOS，變壓器）溫升尚可接受的前提下，我們盡量還是照顧MOS的電應(yīng)力要求。
三、漏感尖峰
由于實(shí)際變壓器都存在漏感，在MOS管關(guān)斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級(jí)，因此必然會(huì)尋找一個(gè)放電通道，初級(jí)的RCD吸收就是為此而設(shè)。如果沒(méi)有吸收，從理論上來(lái)說(shuō)，會(huì)在MOS的D級(jí)對(duì)地形成一個(gè)無(wú)限高的尖峰（當(dāng)然，實(shí)際電路都會(huì)存在分布的電容，這個(gè)尖峰不會(huì)有無(wú)限高），因此足夠的吸收是相當(dāng)重要的。一般來(lái)說(shuō)，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會(huì)有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問(wèn)題，有時(shí)侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應(yīng)力的要求。
四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：
1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復(fù)二極管），可以從一定程度上降低感應(yīng)出來(lái)的尖峰。更換D后，要重新測(cè)量D的溫升。
2.由于電應(yīng)力超標(biāo)一般都發(fā)生在異常狀態(tài)下，此時(shí)的占空比一般是處于失控狀態(tài)，所以此時(shí)的初級(jí)峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關(guān)斷時(shí)，尖峰自然也會(huì)變大。因此控制峰值電流對(duì)抑制尖峰作用是比較明顯的。控制峰值電流的措施一般有：a.控制異常狀態(tài)時(shí)的*大占容比，這對(duì)于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級(jí)sense電阻（初級(jí)取樣電阻）值，對(duì)于電流控制型的芯片，這個(gè)方法是有效的。其機(jī)理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來(lái)關(guān)斷MOS的，電阻變大則能較早關(guān)斷MOS，防止電流沖地過(guò)高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級(jí)電感量，機(jī)理和b類似;d.降低MOS的關(guān)斷速度，這一般可以從MOS 驅(qū)動(dòng)電路上下手，但同時(shí)也應(yīng)注意MOS的發(fā)熱量。另外，在初級(jí)增加電壓初償也是一個(gè)辦法，即從初級(jí)濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測(cè)（Isense）腳，一定上程度也可以對(duì)降低MOS尖峰有效。
上述各種方案措施的實(shí)施后，一定要對(duì)開(kāi)關(guān)電源的其它指標(biāo)進(jìn)行確認(rèn)，以避免極端優(yōu)化一個(gè)參數(shù)，而引起其它參數(shù)惡化的現(xiàn)象。更多技術(shù)文章請(qǐng)關(guān)注[url=]或搜索沃爾開(kāi)關(guān)電源